Número de Producto del Fabricante:
FDMA530PZ
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FDMA530PZ-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 6.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Inventario:
1800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946958
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Nt2G
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDMA530PZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1070 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
804
Otros nombres
FAIFSCFDMA530PZ
2156-FDMA530PZ
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF1010ZPBF
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
