Número de Producto del Fabricante:
IRFR120
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
IRFR120-DG
Descripción:
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventario:
990 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996604
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ENVIAR
IRFR120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Información Adicional
Paquete Estándar
666
Otros nombres
2156-IRFR120-600039
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Affected
Certificación DIGI
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