Número de Producto del Fabricante:
G05N06S2
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G05N06S2-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 5A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Inventario:
3825 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988012
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ENVIAR
G05N06S2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1374pF @ 30V
Potencia - Máx.
3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOP
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
G05N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
3141-G05N06S2CT
4822-G05N06S2TR
3141-G05N06S2TR
3141-G05N06S2DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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