Número de Producto del Fabricante:
G20P08K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
G20P08K-DG
Descripción:
P-80V,RD(MAX)<62M@-10V,RD(MAX)<7
Descripción Detallada:
P-Channel 80 V 20A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
77 Pcs Nuevos Originales En Stock
12986553
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ENVIAR
G20P08K Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 30 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
4822-G20P08KTR
3141-G20P08KDKR
3141-G20P08KCT
3141-G20P08KTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
G20P08K
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
77
NÚMERO DE PIEZA
G20P08K-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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