Número de Producto del Fabricante:
IRF820
Product Overview
Fabricante:
Harris Corporation
Número de pieza:
IRF820-DG
Descripción:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
3895 Pcs Nuevos Originales En Stock
12941203
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF820 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
PowerMESH™ II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
315 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
503
Otros nombres
2156-IRF820
HARHARIRF820
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF6892STRPBF
25V 999A DIRECTFET-LV
MTDF2N06HDR2
MOSFET N-CH 60V 1.5A MICRO8
IRF9143
MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
