Número de Producto del Fabricante:
BSC018NE2LSIATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSC018NE2LSIATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Inventario:
9750 Pcs Nuevos Originales En Stock
12798661
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ENVIAR
BSC018NE2LSIATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-6
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
BSC018
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
BSC018NE2LSIATMA1TR
BSC018NE2LSI-DG
BSC018NE2LSIDKR-DG
INFINFBSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSIATMA1DKR
BSC018NE2LSICT-DG
BSC018NE2LSIDKR
BSC018NE2LSITR-DG
BSC018NE2LSIATMA1CT
SP000906030
BSC018NE2LSI
2156-BSC018NE2LSIATMA1
BSC018NE2LSICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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