Número de Producto del Fabricante:
BSP149H6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP149H6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
25184 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799040
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ENVIAR
BSP149H6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
660mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
BSP149
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001058818
BSP149H6327XTSA1CT
BSP149H6327XTSA1DKR
BSP149H6327XTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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