Número de Producto del Fabricante:
BSP317PL6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP317PL6327HTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventario:
12801813
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ENVIAR
BSP317PL6327HTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
430mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 430mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 370µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
262 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
BSP317
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-BSP317PL6327HTSA1
BSP317PL6327HTSA1TR
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327HTSA1DKR
BSP317P L6327-DG
BSP317PL6327HTSA1CT
BSP317P L6327
2156-BSP317PL6327HTSA1-ITTR-DG
BSP317PL6327INDKR
BSP317PL6327INTR
BSP317PL6327XT
SP000089220
BSP317PL6327
BSP317PL6327INDKR-DG
BSP317PL6327INCT-DG
BSP317PL6327INTR-DG
IFEINFBSP317PL6327HTSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSP317PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
8987
NÚMERO DE PIEZA
BSP317PH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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