Número de Producto del Fabricante:
BSS127H6327XTSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS127H6327XTSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventario:
101483 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799576
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSS127H6327XTSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.6V @ 8µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
28 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS127
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS127H6327XTSA2TR
BSS127H6327XTSA2DKR
BSS127H6327XTSA2CT
SP000919332
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
