Número de Producto del Fabricante:
BSS83PH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS83PH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventario:
107633 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801601
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ENVIAR
BSS83PH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
330mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 330mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
78 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS83PH6327
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS83P H6327CT
BSS83PH6327XTSA1DKR
BSS83PH6327XTSA1TR
SP000702486
BSS83P H6327TR-DG
BSS83P H6327DKR
BSS83P H6327DKR-DG
BSS83P H6327
BSS83P H6327CT-DG
BSS83PH6327XTSA1CT
BSS83P H6327-DG
BSS83PH6327
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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