Número de Producto del Fabricante:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Descripción:
SIC DISCRETE
Descripción Detallada:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Inventario:
13002564
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ENVIAR
IMYH200R100M1HXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
2000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
131mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+20V, -7V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
217W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-4-U04
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
IMYH200
Información Adicional
Paquete Estándar
240
Otros nombres
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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