IPA083N10N5XKSA1
Número de Producto del Fabricante:

IPA083N10N5XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPA083N10N5XKSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 44A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 44A (Tc) 36W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventario:

442 Pcs Nuevos Originales En Stock
13063931
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPA083N10N5XKSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
44A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 49µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2730 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA083

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPA083N10N5XKSA1-ND
SP001226038
448-IPA083N10N5XKSA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPA105N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP

infineon-technologies

BSO203SPNTMA1

MOSFET P-CH 20V 9A 8DSO

infineon-technologies

IPA50R280CE

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP