Número de Producto del Fabricante:
IPA093N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventario:
12799559
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ENVIAR
IPA093N06N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 34µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA093
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPA093N06N3GXKSA1-448
IPA093N06N3 G
SP000451088
IPA093N06N3 G-DG
IPA093N06N3G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK40A06N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
480
NÚMERO DE PIEZA
TK40A06N1,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
0.42
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
AOTF2610L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
AOTF2610L-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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