IPB120N04S4L02ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPB120N04S4L02ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB120N04S4L02ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventario:

994 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803367
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPB120N04S4L02ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 110µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14560 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB120

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-IPB120N04S4L02ATMA1
INFINFIPB120N04S4L02ATMA1
SP000979924
448-IPB120N04S4L02ATMA1DKR
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
448-IPB120N04S4L02ATMA1TR
448-IPB120N04S4L02ATMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
PSMN1R1-40BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
3918
NÚMERO DE PIEZA
PSMN1R1-40BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
1.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDB9406-F085
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
784
NÚMERO DE PIEZA
FDB9406-F085-DG
PRECIO UNITARIO
2.08
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF1404ZGPBF

MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB

infineon-technologies

IPU64CN10N G

MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3

infineon-technologies

IPSA70R600CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3

infineon-technologies

IRF7467TR

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO