Número de Producto del Fabricante:
IPB180N08S402ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB180N08S402ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 277W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventario:
110 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803143
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ENVIAR
IPB180N08S402ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 220µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
277W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB180N08S402ATMA1DKR
IPB180N08S402ATMA1TR
SP000983458
IPB180N08S402ATMA1-DG
IPB180N08S402ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IAUS200N08S5N023ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
552
NÚMERO DE PIEZA
IAUS200N08S5N023ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.59
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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