Número de Producto del Fabricante:
IPD80R1K0CEBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD80R1K0CEBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
12804566
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ENVIAR
IPD80R1K0CEBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
785 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD80R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
INFINFIPD80R1K0CEBTMA1
2156-IPD80R1K0CEBTMA1
IPD80R1K0CEBTMA1TR
IPD80R1K0CEBTMA1CT
IPD80R1K0CEBTMA1DKR
SP001100606
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD80R1K0CEATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2125
NÚMERO DE PIEZA
IPD80R1K0CEATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
STD7N80K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
5091
NÚMERO DE PIEZA
STD7N80K5-DG
PRECIO UNITARIO
0.95
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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