Número de Producto del Fabricante:
IPG20N04S408BATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPG20N04S408BATMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 40V 20A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989489
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPG20N04S408BATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-T2
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 30µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2940pF @ 25V
Potencia - Máx.
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-10
Número de producto base
IPG20N
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP001004282
448-IPG20N04S408BATMA1DKR
448-IPG20N04S408BATMA1CT
448-IPG20N04S408BATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
MSCSM120VR1M11CT6AG
SIC 2N-CH 1200V 251A
MSCSM70VR1M03CT6AG
SIC 2N-CH 700V 585A
NTMFD0D9N02P1E
MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN
