Número de Producto del Fabricante:
IPL65R340CFDAUMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R340CFDAUMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10.9A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10.9A (Tc) 104.2W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
12805881
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL65R340CFDAUMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
340mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP002051002
IPL65R340CFDAUMA2-DG
448-IPL65R340CFDAUMA2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPI60R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
IRF2807L
MOSFET N-CH 75V 82A TO262
IPP60R160P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
