Número de Producto del Fabricante:
IPN50R800CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPN50R800CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventario:
15140 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802708
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPN50R800CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN50R800
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001461196
IPN50R800CEATMA1TR
2156-IPN50R800CEATMA1
IPN50R800CEATMA1DKR
IPN50R800CEATMA1CT
IPN50R800CEATMA1-DG
IFEINFIPN50R800CEATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPU60R2K0C6BKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
IRF3515STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
