Número de Producto del Fabricante:
IPP60R080P7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP60R080P7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12803398
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ENVIAR
IPP60R080P7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 590µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2180 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
129W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP60R080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPP60R080P7XKSA1-DG
SP001647034
448-IPP60R080P7XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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