Número de Producto del Fabricante:
IQE004NE1LM7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE004NE1LM7ATMA1-DG
Descripción:
TRENCH <= 40V
Descripción Detallada:
N-Channel 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-5
Inventario:
13240503
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ENVIAR
IQE004NE1LM7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
58A (Ta), 379A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 7V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.45mOhm @ 30A, 7V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 432µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
55 nC @ 7 V
Vgs (máx.)
±7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6240 pF @ 7.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-5
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE004NE1LM7ATMA1DKR
448-IQE004NE1LM7ATMA1CT
448-IQE004NE1LM7ATMA1TR
SP005574597
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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