Número de Producto del Fabricante:
IQE030N06NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQE030N06NM5CGATMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Inventario:
4960 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997171
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IQE030N06NM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Ta), 137A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IQE030N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQE030N06NM5CGATMA1TR
SP005399428
448-IQE030N06NM5CGATMA1CT
448-IQE030N06NM5CGATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPAN60R280PFD7SXKSA1
CONSUMER PG-TO220-3
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
