IRF6810STRPBF

Número de Producto del Fabricante:

IRF6810STRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF6810STRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N CH 25V 16A S1

Descripción Detallada:

N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1

Inventario:

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12823136

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IRF6810STRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

25 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

16A (Ta), 50A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

5.2mOhm @ 16A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.1V @ 25µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

11 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1038 pF @ 13 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.1W (Ta), 20W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

DirectFET™ Isometric S1

Paquete / Caja

DirectFET™ Isometric S1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IRF6810STRPBF-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

4,800

Otros nombres

IRF6810STRPBFCT

IRF6810STRPBFDKR

SP001530834

IRF6810STRPBF-DG

IRF6810STRPBFTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

IRLR3636TRPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

30775

NÚMERO DE PIEZA

IRLR3636TRPBF-DG

PRECIO UNITARIO

0.73

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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