Número de Producto del Fabricante:
IRLR3636TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLR3636TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventario:
30775 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806393
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ENVIAR
IRLR3636TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3779 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IRLR3636
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IRLR3636TRPBFDKR
IRLR3636TRPBFCT
IRLR3636TRPBFTR
SP001574002
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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