Número de Producto del Fabricante:
IRF6898MTRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6898MTRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 35A (Ta), 213A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
12803482
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ENVIAR
IRF6898MTRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 213A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5435 pF @ 13 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001524690
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SISS66DN-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5690
NÚMERO DE PIEZA
SISS66DN-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.50
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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