Número de Producto del Fabricante:
IRF830PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF830PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12806499
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ENVIAR
IRF830PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF830
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001560108
448-IRF830PBF
2156-IRF830PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF830PBF-BE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
3320
NÚMERO DE PIEZA
IRF830PBF-BE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
IRF830PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
9086
NÚMERO DE PIEZA
IRF830PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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