Número de Producto del Fabricante:
IRFH5110TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5110TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12818503
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFH5110TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.4mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3152 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
SP001570790
IRFH5110TR2PBFCT
IRFH5110TR2PBFDKR
IRFH5110TR2PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TPN1600ANH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1395
NÚMERO DE PIEZA
TPN1600ANH,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DMT10H015LFG-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
37130
NÚMERO DE PIEZA
DMT10H015LFG-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR2405TRPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRFS4229TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
IRFS3207ZTRRPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
