Número de Producto del Fabricante:
IRFH7110TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH7110TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12805246
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ENVIAR
IRFH7110TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta), 58A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3240 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-TQFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
SP001560400
IRFH7110TR2PBFCT
IRFH7110TR2PBFDKR
IRFH7110TR2PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMT10H015LFG-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
3000
NÚMERO DE PIEZA
DMT10H015LFG-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TPN1600ANH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1395
NÚMERO DE PIEZA
TPN1600ANH,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.30
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DMT10H015LCG-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
DMT10H015LCG-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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