Número de Producto del Fabricante:
SPB17N80C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPB17N80C3ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
1942 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806895
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ENVIAR
SPB17N80C3ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB17N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3ATMA1DKR
SP000013370
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3INTR-NDR
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3ATMA1TR
SPB17N80C3XTINCT-DG
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3
SPB17N80C3INDKR
SPB17N80C3INDKR-DG
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT-NDR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3INTR-DG
SPB17N80C3XTINTR-DG
SPB17N80C3INCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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