Número de Producto del Fabricante:
SPP11N80C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP11N80C3XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
6913 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807478
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ENVIAR
SPP11N80C3XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 680µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP11N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000683158
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3IN-NDR
SPP11N80C3IN-DG
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3XTIN-DG
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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