Número de Producto del Fabricante:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRF6662TRPBF-DG
Descripción:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
9118 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947335
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6662TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
253
Otros nombres
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
