Número de Producto del Fabricante:
PMN30UNE115
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PMN30UNE115-DG
Descripción:
NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 4.8A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12947355
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ENVIAR
PMN30UNE115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
36mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
0.9V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
558 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SC-74, SOT-457
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,402
Otros nombres
2156-PMN30UNE115
NEXNXPPMN30UNE115
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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