IRFI3306GPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFI3306GPBF

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

Número de pieza:

IRFI3306GPBF-DG

Descripción:

IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 71A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack

Inventario:

494 Pcs Nuevos Originales En Stock
12998400
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFI3306GPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
71A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.037mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4685 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
141
Otros nombres
2156-IRFI3306GPBF-600047

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
taiwan-semiconductor

TSM4NB60CP

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM650N15CS

150V, 9A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM170N06PQ56

60V, 44A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM60NB600CH

600V, 7A, SINGLE N-CHANNEL POWER