Número de Producto del Fabricante:
IXFH26N55Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH26N55Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 550V 26A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 550 V 26A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12821553
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ENVIAR
IXFH26N55Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
550 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH26
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW19NM50N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
337
NÚMERO DE PIEZA
STW19NM50N-DG
PRECIO UNITARIO
3.02
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PRECIO UNITARIO
4.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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