Número de Producto del Fabricante:
IXFX120N20
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX120N20-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12821288
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ENVIAR
IXFX120N20 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
560W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IFX120N20
IXFX120N20-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP90N20DPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
574
NÚMERO DE PIEZA
IRFP90N20DPBF-DG
PRECIO UNITARIO
3.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFX170N20P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFX170N20P-DG
PRECIO UNITARIO
16.10
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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