Número de Producto del Fabricante:
IXFX30N100Q2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX30N100Q2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12818936
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ENVIAR
IXFX30N100Q2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
735W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX30
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFX32N100Q3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
256
NÚMERO DE PIEZA
IXFX32N100Q3-DG
PRECIO UNITARIO
23.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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