Número de Producto del Fabricante:
2N6660
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
2N6660-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventario:
2405 Pcs Nuevos Originales En Stock
13036055
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ENVIAR
2N6660 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Embalaje
Bag
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
410mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 24 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39
Paquete / Caja
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2N6660MC
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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