Número de Producto del Fabricante:

JANTXV2N7334

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

JANTXV2N7334-DG

Descripción:

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Descripción Detallada:

Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

Inventario:

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12923591

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JANTXV2N7334 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET

Fabricante

Microsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Configuración

4 N-Channel

Función FET

-

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1A

rds activados (máx.) @ id, vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

-

Potencia - Máx.

1.4W

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Grado

Military

Calificación

MIL-PRF-19500/597

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Caja

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Paquete de dispositivos del proveedor

MO-036AB

Número de producto base

2N733

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

1

Otros nombres

JANTXV2N7334-DG

JANTXV2N7334-MIL

150-JANTXV2N7334

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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