Número de Producto del Fabricante:
PHB21N06LT,118
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
Número de pieza:
PHB21N06LT,118-DG
Descripción:
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
978 Pcs Nuevos Originales En Stock
12947330
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PHB21N06LT,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
70mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
739
Otros nombres
2156-PHB21N06LT,118
NEXNXPPHB21N06LT,118
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
