Número de Producto del Fabricante:
PMXB350UPEZ
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PMXB350UPEZ-DG
Descripción:
NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Inventario:
648247 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967826
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
PMXB350UPEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
447mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
950mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
116 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010D-3
Paquete / Caja
3-XDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,515
Otros nombres
2156-PMXB350UPEZ-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FW238-NMM-TL-E
FW238 - N-CHANNEL SILICON MOS FE
NDP4050
NDP4050 - 15A, 50V, 0.1OHM, N-CH
BUK9245-55A/C1118
NEXPERIA BUK9245-55A - POWER FIE
