Número de Producto del Fabricante:
FDZ3N513ZT
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDZ3N513ZT-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.96x0.96)
Inventario:
12838288
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ENVIAR
FDZ3N513ZT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
+5.5V, -0.3V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
85 pF @ 15 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-WLCSP (0.96x0.96)
Paquete / Caja
4-UFBGA, WLCSP
Número de producto base
FDZ3N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDZ3N513ZTCT
FDZ3N513ZTDKR
FDZ3N513ZTTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI8808DB-T2-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
8727
NÚMERO DE PIEZA
SI8808DB-T2-E1-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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