FQB6N60TM
Número de Producto del Fabricante:

FQB6N60TM

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQB6N60TM-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

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FQB6N60TM Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FQB6

Información Adicional

Paquete Estándar
800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STB8NM60D
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2874
NÚMERO DE PIEZA
STB8NM60D-DG
PRECIO UNITARIO
0.83
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IRFBC30ASTRLPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
579
NÚMERO DE PIEZA
IRFBC30ASTRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.26
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STB4NK60ZT4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
4369
NÚMERO DE PIEZA
STB4NK60ZT4-DG
PRECIO UNITARIO
0.77
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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certification_03
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cr
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