Número de Producto del Fabricante:
NTC080N120SC1
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTC080N120SC1-DG
Descripción:
SIC MOS WAFER SALES 80MOHM 1200V
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount Die
Inventario:
12973508
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTC080N120SC1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4.3V @ 5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1112 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
488-NTC080N120SC1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDP708AE
60A, 80V, 0.022OHM, N-CHANNEL MO
PJD9P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD8NA50_R2_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
