Número de Producto del Fabricante:
SCT2280KEGC11
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT2280KEGC11-DG
Descripción:
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 14A (Tc) 108W (Tc) Through Hole TO-247N
Inventario:
2220 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973540
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ENVIAR
SCT2280KEGC11 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
364mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
667 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
108W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SCT2280
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
846-SCT2280KEGC11
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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