Número de Producto del Fabricante:
NTD4857N-1G
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTD4857N-1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12859860
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NTD4857N-1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1960 pF @ 12 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
NTD48
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PHT6NQ10T,135
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
4949
NÚMERO DE PIEZA
PHT6NQ10T,135-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVTFS6H880NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
NDP4060
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
NTTFS015P03P8ZTWG
MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
