Número de Producto del Fabricante:
NTTFS5116PLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NTTFS5116PLTWG-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Inventario:
6635 Pcs Nuevos Originales En Stock
12845077
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ENVIAR
NTTFS5116PLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
52mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1258 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Número de producto base
NTTFS5116
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
NTTFS5116PLTWGOSCT
NTTFS5116PLTWG-DG
NTTFS5116PLTWGOSTR
NTTFS5116PLTWGOSDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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