Número de Producto del Fabricante:
NVH4L030N120M3S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVH4L030N120M3S-DG
Descripción:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 73A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
430 Pcs Nuevos Originales En Stock
13256153
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ENVIAR
NVH4L030N120M3S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
73A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
39mOhm @ 30A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4.4V @ 15mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2430 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
313W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
488-NVH4L030N120M3S
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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