Número de Producto del Fabricante:
NVMYS2D9N04CLTWG
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
NVMYS2D9N04CLTWG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 3.7W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventario:
3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12929018
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ENVIAR
NVMYS2D9N04CLTWG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Ta), 110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2100 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja
SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base
NVMYS2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-NVMYS2D9N04CLTWGTR
488-NVMYS2D9N04CLTWGCT
488-NVMYS2D9N04CLTWGDKR
2156-NVMYS2D9N04CLTWG
NVMYS2D9N04CLTWG-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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