Número de Producto del Fabricante:
EMB4T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMB4T2R-DG
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
13522782
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ENVIAR
EMB4T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
10kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
-
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
150mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMB4T2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RN2911FE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3975
NÚMERO DE PIEZA
RN2911FE(TE85L,F)-DG
PRECIO UNITARIO
0.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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