RS1P600BHTB1

Número de Producto del Fabricante:

RS1P600BHTB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

RS1P600BHTB1-DG

Descripción:

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

2440 Pcs Nuevos Originales En Stock

12976099

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RS1P600BHTB1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

ROHM Semiconductor

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

18A (Ta), 60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

8.8mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 1mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

64 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4080 pF @ 50 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

3W (Ta), 35W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-HSOP

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Número de producto base

RS1P

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

RS1P600BHTB1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

846-RS1P600BHTB1TR

846-RS1P600BHTB1CT

846-RS1P600BHTB1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

RS1P600BHTB1

FABRICANTE

Rohm Semiconductor

CANTIDAD DISPONIBLE

2440

NÚMERO DE PIEZA

RS1P600BHTB1-DG

PRECIO UNITARIO

1.25

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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